2013年，高通公司首次提出QC1.0快充协议，这一版本属于从传统模式到快速充电模式的大突破，设计充电电压5V，电流提升到1.8-2A，最高支持10W的充电功率。同等条件下，使用QC1.0可将传统充电的充电效率提升约1.4倍。
随着越来越多的人注重手机充电体验和充电速率，2013在高通推出骁龙800之后，QC2.0也随之出现。在它出现之前，手机充电是基于USB接口的BC1.2的通用标准，只能够输入5V/1.8A，也就是手机端能够得到的最大功率是9W，不计损耗，把9W折算成充电电流来看，最大的电流极限也就是2A左右，按照3000mAh的电池来看，充电时间还是比较长。为了再进一步提高充电效率，市场上就出现了一些适配器在输出5V的基础下，输出3A甚至4A的电流，但是过大的电流会导致接口、连接线等器件的损坏，并且由于消费者使用的连接线材质优劣不一，连接线的阻抗不一，有的阻抗特别大，导致线损过大，到达手机主板上的电压过小，也就没有办法有效的提供一个较高的充电电流。所以高通的工程师从提高适配器的输出电压出发提出了快充技术—QC2.0。QC2.0设计了两种方案，A类可以支持5V、9和12V，适用于手机和平板电脑，B类其实是为未来设计方案，在那三种电压之后增加了更高的20V。QC2.0 的构架完全兼容QC1.0，没有需要更多的引脚和接口，通过USB接口的D+/D-两个信号线与适配器通信，并且QC2.0是兼容BC1.2协议的。
2015年高通推出更优秀的QC3.0版本，核心更新在于一种新的算法：最佳电压智能协商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV)。除了固定的档位之外，以200mV为步幅，从3.6V到20V范围内的电压均可选择，最大充电功率22W。并且相比于QC2.0，明显减轻了充电时手机的发热问题。
2016年，高通提出可以兼容USB PD 3.0标准的QC4.0快充技术，并且进一步优化INOV算法，将电压可调节的精度提高了约10倍，可以按照20mV的步幅调压。将充电最高功率调整到27W，可选择两种充电模式，减小电池的损耗和发热问题。QC4.0在协议的兼容性方面有了巨大的提升，只支持Type-C接口，后来QC 4.0+版本才再次兼容Micro USB接口。
2020年，高通宣布推出QC5.0，单电芯充电最多可达到45W功率，双电芯充电最高支持100W功率，15分钟即可使4500mAh电池电量从0%到100%。相比上代，QC5.0对发热问题做出了进一步优化，并且大幅提升了充电速度，达到QC4.0的4倍，同时还支持QC其他低版本的协议、PD协议以及PPS快充协议。各个版本的Quick Charge协议特点如下表所示。
1.QC2.0快充握手过程(HVDCP)
注：黄色波形为D+；绿色波形为D-。
1.做完BC1.2检测后，D+和D-的电压同时变为0.6V并保持1.25S，如上图中"1"方框所示。
2.1.25S之后，D+电压继续保持0.6V，如果D-电压变为0V，则表示支持QC2.0协议，如上图中"2"方框所示。
QC2.0协议如下表所示。
D+为0.6V，D-为0V，则VBUS为5V，如下图所示。
D+为3.3V，D-为0.6V，此时VBUS为9V，如下图所示。
2.QC3.0快充握手过程
注：黄色波形为D+；绿色波形为D-。
上图中"1"方框所示与QC2.0中的"1"方框所示一致。1.25S之后，D+电压继续保持0.6V，D-电压先变为0V，再变为3.3V，如上图中"2"方框所示。
QC3.0协议如下表所示。
在连续模式下，D+有一个0.6~3.3V的方波，则表示VBUS+0.2V，如下图所示。
注：黄色波形为D+；绿色波形为VBUS。
从上图可以看到，在D+发出5个方波脉冲后，VBUS从5V变为6V，每发出一个方波脉冲，VBUS增加0.2V。
在连续模式下，D-有一个3.3~0.6V的方波，则表示VBUS-0.2V，如下图所示。
注：黄色波形为D-；绿色波形为VBUS。
从上图可以看到，在D-发出5个方波脉冲后，VBUS从6V变为5V，每发出一个方波脉冲，VBUS减少0.2V。